三星电子改组新设HBM芯片研发团队

韩联社首尔7月4日电 在全球人工智能市场的规模持续扩张的背景下，三星电子进行大规模改组，组建一个专注于高带宽存储器（HBM）的研发团队，力争在半导体市场确保“超级差距”。

据业界4日消息，三星电子负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门当天进行改组，新设HBM研发组。三星电子副社长、高性能DRAM（动态随机存取存储器）设计专家孙永洙（音译）担任该研发组组长，带领团队集中研发HBM3、HBM3E和新一代HBM4技术。

此外，三星电子还对先进封装（AVP）团队和设备技术实验所进行重组，以提升整体技术竞争力。

值得一提的是，此次改组距离半导体部门换帅仅一个月有余。三星电子5月21日宣布了一项重大人事变动，任命未来事业计划团部长（副会长）全永铉为DS部门负责人。近期，三星电子还面向HBM等新一代DRAM内存控制器开发、验证等800多个职务招聘有经验的员工。（完）

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