涉对华泄露芯片技术三星前高管和首席研究员被批捕

韩联社首尔9月6日电 据首尔警察厅产业技术安全侦查队6日消息，涉嫌对华泄露芯片核心技术的三星电子前高管和首席研究员被批捕。

曾担任三星电子和海力士半导体（现SK海力士）高管的崔某（66岁）和前三星电子首席研究员吴某（60岁）涉嫌违反《产业技术法》和《防止不正当竞争及商业秘密保护法》，泄露三星电子自主开发的700多个20纳米技术工艺流程图用于成都高真科技公司进行产品研发。

据悉，成都高真科技系崔某2021年获投资后设立，吴某出任该公司高管。

警方于今年1月申请提捕吴某，但被驳回。之后，警方补充侦查并再次提请批捕，并一同提捕崔某。首尔中央地方法院日前批准逮捕。警方计划具体调查泄密过程、以及是否获取经济利益等。（完）

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